Antiferroelectric hafnia down to the 2D limit
En palabras de los autores
Esta revista no permite republicar el resumen completo. Estas son las dos oraciones que eligió Pipette, citadas textualmente. El resto está en el sitio de la editorial.
Resultado principal
In this work, we demonstrate that single-crystalline hafnia, a lead-free CMOS-compatible material, exhibits antiferroelectricity under compressive-strain conditions.
Apareció: sábado, 26 de septiembre. Science. Revista con revisión por pares.